型号：RFD12N06RLESM9A

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型号：RFD12N06RLESM9A

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型号：RFD12N06RLESM9A

型号：RFD12N06RLESM9A

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 49 W
通道模式: Enhancement
系列: RFD12N06RLESM
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 37 ns, 50 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 89 ns, 34 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 22 ns, 41 ns
典型接通延迟时间: 13 ns, 5.3 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: RFD12N06RLESM9A_NL
单位重量: 330 mg

型号：RFD12N06RLESM9A